IPB083N15N5LF
IPB083N15N5LF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB083N15N5LF
- 商品编号
- C536523
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低品质因数 R_ON × Q_g
- 超低栅极电荷
- 极高 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 符合 JEDEC 工业级应用标准
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准；无卤模塑料
应用领域
-适用于服务器和电信的硬开关拓扑
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