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IPB120N04S4-01
IPB120N04S4-01
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB120N04S4-01
- 商品编号
- C536542
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.837931克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC | |
| 输入电容(Ciss) | 10.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.45nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过AEC认证
- 湿度敏感度等级1级,最高可承受260°C峰值回流温度
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试