温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB120N08S4-04
N沟道增强型OptiMOs-T2功率晶体管，AECQ101认证，MSL1可达260°C峰值回流，绿色产品，100%雪崩测试
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB120N08S4-04
- 商品编号
- C536550
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.87nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过AEC Q101认证
- 潮湿敏感度等级1级,最高峰值回流温度260°C
- 工作温度175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试