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IPB200N25N3 G
1个N沟道 耐压:250V 电流:64A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB200N25N3 G
- 商品编号
- C536579
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,64A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 297pF |
商品特性
- N沟道，常态电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 非常适合高频开关和同步整流