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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 201W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.891nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.212nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的换代产品。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的卓越耐用性以及出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性极佳,>2kV(HBM)
- 低RDS(on)A(低于1Ohmmm2)使产品的RDS(on)/封装比竞品更优
应用领域
-PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC主机、适配器、LCD与PDP电视、照明、服务器、电信和UPS