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场效应管(MOSFET)
IPB60R199CP
引脚图
此图展示了型号为 IPB60R199CP 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 IPB60R199CP 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
IPB60R199CP
IPB60R199CP
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IPB60R199CP
商品编号
C536620
商品封装
TO-263
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
16A
导通电阻(RDS(on))
199mΩ@10V,9.9A
耗散功率(Pd)
139W
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))
3V
栅极电荷量(Qg)
32nC@10V
输入电容(Ciss)
1.52nF@100V
反向传输电容(Crss)
180pF@480V
工作温度
-55℃~+150℃
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