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IPB65R225C7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB65R225C7

IPB65R225C7

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商品型号
IPB65R225C7
商品编号
C536643
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))225mΩ@10V
耗散功率(Pd)63W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)996pF
反向传输电容(Crss)313pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,按照超结(SJ)原理设计。 CoolMOS C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势,可提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且具有出色的可靠性。

商品特性

  • 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
  • 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg,实现了更高的效率
  • 同类最佳的RDS(on)/封装
  • 易于使用/驱动
  • 无铅电镀,无卤模塑料
  • 符合JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

  • 用于计算机、服务器、电信、UPS和太阳能的PFC级和硬开关PWM级。

数据手册PDF