温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB70N12S3-11
1个N沟道 耐压:120V 电流:70A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB70N12S3-11
- 商品编号
- C536650
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.6mΩ@10V,70A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.355nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@25V |
商品特性
- 适用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET
- N 沟道 - 增强型
- 通过汽车 AEC Q101 认证
- 最高可承受 260°C 峰值回流温度的 MSL1 等级
- 工作温度达 175°C
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% 雪崩测试