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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性出众。
商品特性
- 最低品质因数 RON x Qg
- 极高的dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 符合JEDEC工业应用标准
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 超低栅极电荷
应用领域
-准谐振反激/正激拓扑-开关电源(SMPS)-电脑银盒-照明-太阳能