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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V,9.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性出众。
商品特性
- 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 凭借一流的品质因数（FOM）实现更高效率：漏源导通电阻（RDS(on)）乘以输出存储能量（Eoss）以及漏源导通电阻（RDS(on)）乘以栅极电荷（Qg）
- 每个封装的漏源导通电阻（RDS(on)）处于同类最佳水平
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
应用领域
- 用于计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域的 PFC 级和硬开关 PWM 级。