IPD100N04S4L-02
IPD100N04S4L-02
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD100N04S4L-02
- 商品编号
- C536730
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- OptiMOS - 汽车应用功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 逻辑电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1标准
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试