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IPD220N06L3 G
OptiMOs 3功率晶体管
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化的技术。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD220N06L3 G
- 商品编号
- C536741
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.8mΩ@10V；27.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@11uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- N 沟道、逻辑电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证