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IPD35N10S3L-26
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- 特性：N 通道。增强模式。汽车 AEC Q101 认证。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS）。100% 雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD35N10S3L-26
- 商品编号
- C536761
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级1级，最高峰值回流温度达260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试