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IPD50R399CP

1个N沟道 耐压:550V 电流:9A

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描述
特性:最低优值:导通电阻×栅极电荷。 超低栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 无铅镀铅;符合RoHS标准;有无卤模塑料可供选择。 符合JEDEC标准,适用于工业级应用。应用:硬开关和软开关SMPS拓扑。 用于灯镇流器的DCM PFC
商品型号
IPD50R399CP
商品编号
C536787
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.375克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)550V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))399mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)890pF
反向传输电容(Crss)81pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 最低品质因数 RON × Qg
  • 超低栅极电荷
  • 极高的 dv/dt 额定值
  • 高峰值电流能力
  • 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准;采用无卤模塑料
  • 符合 JEDEC 工业级应用要求

应用领域

  • 硬开关和软开关开关电源拓扑
  • 用于灯镇流器的不连续导电模式功率因数校正 (DCM PFC)
  • 用于灯镇流器、等离子显示器 (PDP) 和液晶电视 (LCD TV) 的脉宽调制 (PWM)

数据手册PDF