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IPD50R399CP
1个N沟道 耐压:550V 电流:9A
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- 描述
- 特性：最低优值：导通电阻×栅极电荷。 超低栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 无铅镀铅；符合RoHS标准；有无卤模塑料可供选择。 符合JEDEC标准，适用于工业级应用。应用：硬开关和软开关SMPS拓扑。 用于灯镇流器的DCM PFC
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50R399CP
- 商品编号
- C536787
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 399mΩ@10V,4.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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