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IPD50R950CE

IPD50R950CE

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商品型号
IPD50R950CE
商品编号
C536793
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.69克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)6.6A
导通电阻(RDS(on))860mΩ@13V
耗散功率(Pd)53W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.5nC
输入电容(Ciss)231pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)19pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,且不牺牲易用性,还提供了市场上最佳的成本降低性能比。

商品特性

-由于极低的品质因数RDS(ON)*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用

应用领域

-用于如PC主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF