温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD60R280P7
IPD60R280P7
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R280P7
- 商品编号
- C536812
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 761pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时的出色耐用性以及出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于出色的换向耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性出色，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1Ohmmm²）使得与竞品相比，RDS(on)/封装产品更优
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
- PFC级
- 硬开关PWM级
- 用于PC主机、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS的谐振开关级