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IPD65R1K4CFD

IPD65R1K4CFD

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商品型号
IPD65R1K4CFD
商品编号
C536844
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V
耗散功率(Pd)28.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)262pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时还提供极快速且坚固耐用的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的耐用性相结合,使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 易于使用/驱动
  • 极高的换相耐用性
  • 无铅镀层,采用无卤模塑料
  • 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
  • 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

-电脑主机的谐振开关PWM级-液晶电视的谐振开关PWM级-照明设备的谐振开关PWM级-服务器的谐振开关PWM级-电信设备的谐振开关PWM级

数据手册PDF