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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 163pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@480V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，可用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不影响易用性，并且在市场上拥有最佳的降本性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 移动设备和电动工具低功率充电器中的（QR）反激式电路