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IPD80R600P7
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 描述
- 最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，它将一流的性能与最先进的易用性完美结合，这得益于超过18年超结技术的开创性创新。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R600P7
- 商品编号
- C536890
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@500V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性完美结合，这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss；降低Qg、Ciss和交叉参数
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th和最小的±0.5V V(GS)th变化
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 用于LED照明的硬开关和软开关反激拓扑-低功率充电器和适配器-音频设备-辅助电源-工业电源-消费应用中的PFC级-太阳能应用中的PFC级