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IPD95R750P7
1个N沟道 耐压:950V 电流:9A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD95R750P7
- 商品编号
- C536918
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 712pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低 Qg、Ciss 和 Coss
- 一流的DPAK封装 RDS(on)
- 一流的 V(GS)th 为3V,且 V(GS)th 变化最小,为 \pm 0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 一流的CoolMOSTM品质和可靠性
- 全面优化的产品组合
应用领域
-LED照明的反激式拓扑结构-低功率充电器和适配器-智能电表-辅助电源-工业电源-消费和太阳能应用中的功率因数校正级