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IPDD60R190G7
600V CoolMOs G7功率晶体管
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- 描述
- C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及DDPAK封装改进后的热性能相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等高电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件（SMD）解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDD60R190G7
- 商品编号
- C536924
- 商品封装
- HDSOP-10-6.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 76W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 718pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 277pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及DDPAK封装改进的热性能相结合，为高达3kW的PFC等大电流拓扑结构提供了一种可能的SMD解决方案。
商品特性
- C7 Gold在同类产品中拥有最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg。
- 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)。
- C7 Gold技术在最小的占位面积内实现了同类最佳的RDS(on)。
- DDPAK封装内置了第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约3nH)。
- DDPAK封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚便于目视检查,并且根据JEDEC 47/20/22标准通过了工业应用认证。
- DDPAK SMD封装与无铅芯片粘贴工艺相结合,提高了热性能(Rth)。
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。
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