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IPG20N06S4L-11实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPG20N06S4L-11

OptiMOST2功率晶体管

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:双N沟道逻辑电平增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
商品型号
IPG20N06S4L-11
商品编号
C536948
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))11.2mΩ@10V,17A
耗散功率(Pd)65W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.02nF@25V
反向传输电容(Crss)68pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
配置-

商品特性

  • 双N沟道逻辑电平 - 增强型
  • 通过AEC Q101认证
  • 湿气敏感度等级1级,最高峰值回流温度达260°C
  • 工作温度达175°C
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF