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IPDD60R125G7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPDD60R125G7

1个N沟道 耐压:600V 电流:20A

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商品型号
IPDD60R125G7
商品编号
C536922
商品封装
HDSOP-10-6.6mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.89克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)27A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)1.08nF
反向传输电容(Crss)420pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品概述

C7 GOLD系列(G7)首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及DDPAK封装改进的热性能相结合,为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件(SMD)解决方案。

商品特性

  • C7 Gold在同类产品中具有最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg。
  • 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)。
  • C7 Gold技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的RDS(on)。
  • DDPAK封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约3nH)。
  • DDPAK封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚易于目视检查,并根据JEDEC 47/20/22标准通过了工业应用认证。
  • DDPAK SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合,可提高热性能(Rth)。

应用领域

  • 用于高功率/高性能开关模式电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。

数据手册PDF