IPDD60R102G7
1个N沟道 耐压:600V 电流:23A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDD60R102G7
- 商品编号
- C536921
- 商品封装
- HDSOP-10-6.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 516pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专门针对充电器、适配器、照明、电视等消费市场对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现超薄设计。
商品特性
- C7 Gold在同类产品中具有最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg。
- 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)。
- C7 Gold技术在最小的占位面积内实现了同类最佳的 \mathsfRDS(on)。
- DDPAK封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(~3nH)。
- DDPAK封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚易于目视检查,并且根据JEDEC 47/20/22标准通过了工业应用认证。
- DDPAK SMD封装与无铅芯片粘贴工艺相结合,可提高热性能 (Rth)。
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。