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IPDD60R050G7
IPDD60R050G7
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDD60R050G7
- 商品编号
- C536919
- 商品封装
- HDSOP-10-6.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,15.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.67nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.05nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |