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IPD80R900P7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD80R900P7

1个N沟道 耐压:800V 电流:6A

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描述
特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in,降低了 Ωg、Ciss 和 Coss。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 完全符合 JEDEC 工业应用标准。 产品组合经过全面优化。应用:推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。 适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
商品型号
IPD80R900P7
商品编号
C536892
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.42克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))900mΩ@10V,2.2A
属性参数值
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)350pF@500V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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