IPD80R900P7
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in,降低了 Ωg、Ciss 和 Coss。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 完全符合 JEDEC 工业应用标准。 产品组合经过全面优化。应用:推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。 适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R900P7
- 商品编号
- C536892
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,2.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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