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IPD80R900P7
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- 特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in，降低了 Ωg、Ciss 和 Coss。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 完全符合 JEDEC 工业应用标准。 产品组合经过全面优化。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。 适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R900P7
- 商品编号
- C536892
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的 800V CoolMOS P7 系列为 800V 超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性完美结合，这得益于超 18 年的超结技术创新探索。
商品特性
- 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低 Qg、Ciss 和 Coss
- 一流的 DPAK RDS(on)
- 一流的 3V V(GS)th 和 ±0.5V 的最小 V(GS)th 变化
- 集成齐纳二极管 ESD 保护
- 完全符合 JEDEC 工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 用于 LED 照明的硬开关和软开关反激拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 音频
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费应用中的 PFC 级
- 太阳能中的 PFC 级