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IPD900P06NM
1个P沟道 耐压:60V 电流:12.7A
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- 描述
- 特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 正常电平增强模式。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD900P06NM
- 商品编号
- C536895
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- P沟道
- 极低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 正常电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求