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IPD95R1K2P7
1个N沟道 耐压:950V 电流:6A
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- 描述
- 最新的950V CoolMOS P7系列为950V超结技术树立了新的标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD95R1K2P7
- 商品编号
- C536916
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4772克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 478pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |