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IPD70R600P7S
1个N沟道 耐压:700V 电流:5A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD70R600P7S
- 商品编号
- C536869
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.529克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,1.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 43.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 364pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ PFD7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 由于极低的品质因数（FOM）（RDS(on) * Qg）和（RDS(on) * Eoss），损耗极低
- 开关损耗 Eoss 低，热性能出色
- 快速体二极管
- RDS(on) 和封装类型选择广泛
- 集成齐纳二极管
应用领域
- 用于高密度充电器的零电压开关（ZVS）拓扑
- 适配器
- 照明
- 电机驱动应用