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IPD80R3K3P7
IPD80R3K3P7
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R3K3P7
- 商品编号
- C536887
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@10V,0.59A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF@500V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数（导通电阻 * 输出存储能量）；降低了栅极电荷、输入电容和输出电容
- 一流的DPAK导通电阻
- 一流的3V栅源阈值电压和最小的±0.5V栅源阈值电压变化
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 一流的CoolMOS™质量和可靠性
- 全面优化的产品组合
应用领域
-LED照明的反激式拓扑结构-低功率充电器和适配器-智能电表-辅助电源-工业电源-消费和太阳能应用中的功率因数校正级