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IPD80R2K7C3A
1个N沟道 耐压:800V 电流:2A
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- 描述
- 特性：新的革命性高压技术。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。通过AEC Q101认证。绿色封装（符合RoHS标准），无铅镀铅，模塑料无卤。超低栅极电荷。应用：高直流母线电压的汽车应用。开关应用（如有源钳位正激）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R2K7C3A
- 商品编号
- C536884
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@0.12mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 具备极高的 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 通过 AEC Q101 认证
- 环保封装（符合 RoHS 标准），引脚无铅电镀，模塑料无卤
- 超低栅极电荷
- 超低有效电容
应用领域
- 高直流母线电压的汽车应用
- 开关应用（如有源钳位正激电路）