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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD65R1K5CE

IPD65R1K5CE

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商品型号
IPD65R1K5CE
商品编号
C536845
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)5.2A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V,1A
耗散功率(Pd)53W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)10.5nC@10V
输入电容(Ciss)225pF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台,能够在满足最高效率标准的同时,瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势,同时不牺牲易用性,并提供市场上最佳的降本性能比。

商品特性

  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 适用于标准等级应用

应用领域

  • 例如 PC 主机、适配器、LCD 与 PDP 电视以及室内照明等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。

数据手册PDF