温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD70N10S3-12
OptiMOs T功率晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 环保产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD70N10S3-12
- 商品编号
- C536859
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.1mΩ@10V,70A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.355nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 潮湿敏感度等级1级，最高峰值回流温度260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试