温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD80R1K4P7
1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R1K4P7
- 商品编号
- C536880
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与先进的易用性相结合,这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th,最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- LED照明的硬开关和软开关反激拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 音频
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费应用中的PFC级
- 太阳能