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IPD65R660CFDA
1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD65R660CFDA
- 商品编号
- C536855
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 594mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 543pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |