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IPD65R400CE
1个N沟道 耐压:700V 电流:15.1A
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- 描述
- CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS CE系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下，提供了快速开关超结MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD65R400CE
- 商品编号
- C536849
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.513克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,3.2435A | |
| 耗散功率(Pd) | 118W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关超结MOSFET的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热良好。
商品特性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
- 极高的换向坚固性
- 易于使用/驱动
- 通过JEDEC认证，无铅电镀，无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 例如PC电源、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级