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IPD60R2K0PFD7S
1个N沟道 耐压:650V 电流:1.9A
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- 描述
- CoolMos TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS TM PFD7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R2K0PFD7S
- 商品编号
- C536817
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.509克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,0.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 134pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
优惠活动
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