IPD65R1K4C6
1个N沟道 耐压:650V 电流:3.2A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD65R1K4C6
- 商品编号
- C536843
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 按照 JEDEC(J - STD20 和 JESD22)标准,适用于工业级应用
应用领域
- 硬开关 PWM 级和谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、适配器、LCD 与 PDP 电视以及照明。