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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD60R2K0C6

IPD60R2K0C6

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商品型号
IPD60R2K0C6
商品编号
C536816
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2.4A
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V,0.76A
耗散功率(Pd)22.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)6.7nC@10V
输入电容(Ciss)140pF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术,基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下,具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 通过 JEDEC 认证,无铅电镀
  • 无卤模塑料

应用领域

  • 例如用于 PC 电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和 UPS 的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关 PWM 级。

数据手册PDF