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IPD640N06L G
耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- 特性：适用于快速开关转换器和同步整流。 N沟道增强型逻辑电平。 工作温度175℃。 雪崩额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD640N06L G
- 商品编号
- C536839
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于快速开关转换器和同步整流
- N沟道增强型 - 逻辑电平
- 工作温度达175°C
- 雪崩额定
- 无铅引脚镀层,符合RoHS标准