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IPD60R460CE

IPD60R460CE

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商品型号
IPD60R460CE
商品编号
C536828
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)13.1A
导通电阻(RDS(on))460mΩ@10V
耗散功率(Pd)102W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)620pF
反向传输电容(Crss)121pF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势,且不影响易用性,还拥有市场上最佳的成本降低性能比。

商品特性

  • 极低的损耗,源于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss
  • 极高的换向耐用性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 适用于标准等级应用

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级、硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关级,例如用于个人电脑主机、适配器、液晶(LCD)和等离子(PDP)电视以及室内照明。

数据手册PDF