温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
CoolMOS™ 是一项应用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ E6 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。该系列器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。
商品特性
- 极低的 FOM(Rdson*Qg 和 Eoss)带来极低的损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 通过 JEDEC 认证,无铅电镀,无卤(TO - 252 封装除外)
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级
- 硬开关 PWM 级
- 谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)