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IPD60R600P7S E8228
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- 7th generation platform是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R600P7S E8228
- 商品编号
- C536834
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,1.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |