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IPD65R950CFD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD65R950CFD

IPD65R950CFD

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商品型号
IPD65R950CFD
商品编号
C536857
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)3.9A
导通电阻(RDS(on))950mΩ@10V
耗散功率(Pd)36.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)14.1nC@10V
输入电容(Ciss)380pF
反向传输电容(Crss)68pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS™ CFD2 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换相和导通损耗与极高的坚固性相结合,尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热良好。

商品特性

  • 超快速体二极管
  • 易于使用/驱动
  • 极高的换相耐用性
  • 无铅镀层,采用无卤模塑料
  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 根据 JEDEC(J - STD20 和 JESD22)标准,适用于工业级应用

应用领域

  • 个人电脑银盒的谐振开关 PWM 级
  • 液晶电视的谐振开关 PWM 级
  • 照明的谐振开关 PWM 级
  • 服务器的谐振开关 PWM 级
  • 电信的谐振开关 PWM 级

数据手册PDF