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IPD60R380P6实物图
  • IPD60R380P6商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD60R380P6

1个N沟道 耐压:600V 电流:10.6A

商品型号
IPD60R380P6
商品编号
C536824
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)6.7A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)877pF
反向传输电容(Crss)135pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
  • 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低的损耗
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅电镀,无卤模塑料
  • 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关脉宽调制(PWM)级
  • 谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

数据手册PDF