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IPD60R280P7S
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R280P7S
- 商品编号
- C536813
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 761pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7 系列是 CoolMOS™ P6 系列的后续产品。它将快速开关超结 MOSFET 的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及卓越的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC 和 LLC）
- 显著降低开关损耗和导通损耗
- 所有产品的 ESD 耐用性极佳，>2kV（HBM）
- 低 RDS(on)*A（低于 1 欧姆·平方毫米）使 RDS(on)/封装产品比竞品更优
- 产品符合 JEDEC 标准进行验证
应用领域
- PFC 级
- 硬开关 PWM 级
- 谐振开关级，例如用于 PC 电源、适配器、LCD 与 PDP 电视、照明、服务器、电信和 UPS