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IPD60R180P7S
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
- 描述
- CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R180P7S
- 商品编号
- C536803
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.531克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,5.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.081nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 381pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的后续产品。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时的卓越耐用性以及出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换流耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性出色，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1Ωmm²）使产品的RDS(on)/封装性能优于竞品
- 产品符合JEDEC标准进行验证
应用领域
- PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS