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IPD60R170CFD7实物图
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IPD60R170CFD7

IPD60R170CFD7

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商品型号
IPD60R170CFD7
商品编号
C536800
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)76W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)1.199nF
反向传输电容(Crss)402pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品概述

CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术,按照超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相稳健性相结合,且在设计导入过程中易于实现。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更低温。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 低栅极电荷
  • 同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)
  • 改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性
  • 最低的品质因数RDS(on)*Qg和RDS(on)*Eoss
  • SMD和THD封装中同类最佳的RDS(on)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电
  • 工业应用

数据手册PDF