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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@13V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，可针对消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不影响易用性，且具备市场上最佳的成本降低性能比。
商品特性
- 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss),带来极低的损耗
- 极高的换向坚固性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
-PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明