温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD50R650CE
1个N沟道 耐压:550V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本降低性能比。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50R650CE
- 商品编号
- C536791
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@13V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@13V | |
| 输入电容(Ciss) | 342pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的降本性能比。
商品特性
-由于极低的品质因数RDS(ON)*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用
应用领域
-例如PC主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。