温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD50R2K0CE
1个N沟道 耐压:550V 电流:3.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，针对消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本与性能比。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50R2K0CE
- 商品编号
- C536785
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@13V,0.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 124pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |